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Winbond Electronics lance en Lecture Séquentielle pour plus de flexibilité

June 05, 2020

En Lecture séquentielle permet à la dernière QspiNAND Flash produits à lire à 52 MO par seconde, et les utilisateurs sont libres d'appliquer leur préféré ECC encodage et de configuration de données.


Winbond Electronics, un leader mondial des semiconducteurs, des solutions de stockage, a annoncé aujourd'hui le lancement d'un temps plus flexible de nouveau à haute vitesse de la fonction de lecture dans le QspiNAND Flash de la série de produits en Lecture Séquentielle et continue à se conformer à sa recherche permanente d'innovation dans le domaine de la mémoire flash. Plus de voitures et plus et de Tes fabricants de périphériques utilisation de la SLC NAND Flash comme leur faible coût de la solution de rechange pour remplacer le traditionnel NI Flash de 512 mo ou plus. Winbond a déjà fait des innovations de rupture dans la Haute Performance Quad SPI-NAND Flash de l'interface. Sa Lecture en Continu a une vitesse de transmission allant jusqu'à 52 MO par seconde à une fréquence de 104MHhz, et a les mêmes avantages que le Quad SPI-NI avec un faible nombre de broches . Aujourd'hui, Winbond a fait de grandes réalisations dans les Hautes Performances de la mémoire Flash NAND, et a lancé la nouvelle Lecture Séquentielle de la fonction dans sa dernière haute performance W25NxxxJW QspiNAND Flash. Il ne maintient pas seulement la 52 MO/s vitesse de transfert des données de QspiNAND Flash à 104MHz, mais il ajoute aussi beaucoup de souplesse dans l'utilisation.


Parmi eux, le plus important des éléments suivants: l'utilisateur's propre ECC moteur peut être librement appliqué. En Lecture en Continu, Winbond W25N série prend uniquement en charge le haut-1-bit ECC moteur. En Lecture Séquentielle, les utilisateurs peuvent choisir d'utiliser 4, 8, ou n'importe quel bit de l'ECC correction d'erreurs.Utiliser une seule commande de lecture pour accéder à l'ensemble de la mémoire de tableau, y compris la zone principale et de secours de la zone . Ceci est approprié pour le code de l'occultation des applications, en raison du faible temps de latence et le démarrage est rapide sont particulièrement importants pour de telles applications.


Il y a une plus grande flexibilité à l'ensemble des données, des codes de correction d'erreurs, et les informations du système de fichiers de configuration pour correspondre à l'utilisateur'scénario de l'application.


Winbond Electronics' US branch's de la mémoire flash d'affaires de groupe marketing, directeur du département, a déclaré: "Winbond offre une haute vitesse de fonctionnement et la fonction de Lecture en Continu, prise de QspiNAND Flash une excellente option pour le code des applications de stockage." "Maintenant rejoindre en Lecture Séquentielle, d'une utilisation Non seulement ils jouissent toujours de la même haute vitesse de lecture de 52 MO par seconde, mais ils peuvent également mettre en œuvre leurs propres ECC moteur et de la configuration d'accès aux données."

Winbond'512 mo, 1 go et 2 go de 1,8 V QspiNAND Flash; 2 go et 4 go de 3V QspiNAND Flash ont introduit la dernière Lecture Séquentielle de la fonction. En outre, tous les QspiNAND Flash est fabriqué à la société's 12 pouces fab à Taichung, Taïwan. Pour répondre aux besoins des secteurs de l'automobile et de l'Ido marchés, Winbond a également continué à développer sa capacité de production. La nouvelle W25N QspiNAND Flash utilise un compact à 8 broches paquet; avant de Winbond une efficacité QspiNAND interface Flash, SLC NAND Flash n'a pas pu fournir cette économie de l'espace de type. Avec une fréquence de vitesse de 104MHz, il peut atteindre la performance de Quad I/O équivalent à 416MHz (104MHz x 4) lors de l'utilisation d'une vitesse de lecture Quad instructions d'e/S.


Les principales caractéristiques de Winbond W25N série NAND Flash sont comme suit:

Couvre la température de fonctionnement de différents scénarios d'utilisation

– -40°C à +85°C plage de fonctionnement (qualité technique)

– -40°C à +105°C plage de fonctionnement (qualité industrielle et de véhicules de qualité)

Unique de l'architecture de la mémoire

Lecture de Page de temps lors de l'ECC est activé: 60µs

– Page temps de programmation: 250µs (valeur standard)

– Bloc de temps d'effacement: 2 ms (valeur standard)

– L'efficacité de rapide de programmation/effacement de l'

– Support de la mémoire OTP zone


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